
闪存(Flash Memory)是一种可以在没有电源的情况下保持数据的存储设备。它是一种半导体存储器,区别于传统的硬盘(HDD)和动态随机存取存储器(DRAM)等,闪存能够长时间保存数据,且在断电后数据不会丢失,因此属于非易失性存储器。
闪存之所以受到广泛应用,主要是因为它具有以下几个优点:
常见的闪存产品有USB闪存盘、SD卡、固态硬盘(SSD)等。
闪存的工作原理依赖于半导体MOS(Metal Oxide Semiconductor)技术,具体而言,每一个存储单元由一个带有浮栅的MOS管组成。浮栅可以存储电荷,从而改变控制栅的阈值电压,进而代表存储的数据状态。

闪存的存储单元通常由以下几个部分构成:
闪存有三种主要操作:写入、擦除和读取。其中,写入是将电荷注入浮栅,擦除则是将浮栅中的电荷抽出。读取操作则是通过控制栅电压的变化来判断浮栅中是否有电荷,从而判定该单元存储的是“0”还是“1”。
根据结构的不同,闪存可以分为两大类:NAND闪存和NOR闪存。它们在存储单元的排列、读取方式、容量和成本等方面有显著的不同。

3.1 NAND闪存
NAND闪存的存储单元是按串联方式排列的,即多个存储单元串联在一起形成一个“链条”。这种结构的优点是存储密度高,可以在更小的空间内存储更多的数据,且成本较低,因此广泛应用于USB闪存盘、固态硬盘(SSD)、数码相机存储卡等。
NAND闪存的缺点是它不能随机读取数据。读取数据时,必须从链条的前面开始按顺序读取,直到找到目标数据为止。因此,NAND闪存在进行随机访问时的性能较差,适合于顺序读取较多的应用场景。
与NAND闪存不同,NOR闪存的存储单元是并联排列的。每个存储单元都直接与位线连接,可以直接对每个单元进行随机访问,因此读取速度快,尤其适用于需要频繁访问的应用场景,如固件存储、嵌入式系统等。
闪存的基本存储单元是一个带浮栅的MOS管。其结构可以类比为一只“开关”,控制栅极就像是“开关的把手”,通过调整控制栅极上的电压来控制电流的流动,从而实现数据的存储和读取。
写入操作:当我们需要在闪存中存储数据时,实际上就是向浮栅中注入电荷,改变其状态。为了写入“0”,我们需要通过在控制栅上施加较大的正电压,使得电流通过隧道氧化层进入浮栅,储存电荷。而写入“1”则是通过施加负电压将电荷从浮栅抽出,这样浮栅的电荷状态变为空,表示“1”。
擦除操作:擦除操作实际上就是将浮栅中的电荷抽出,这通常是通过施加负电压来实现的。擦除会将数据从存储单元中清除,恢复为“1”的状态。
读取操作:读取时,控制栅上施加正电压,然后检测源极与漏极之间的电流。如果浮栅中有电荷(即存储了“0”),则电流流动较少;如果浮栅中没有电荷(即存储了“1”),则电流较大。根据电流的大小,控制系统可以判断当前存储单元的值。
闪存的应用非常广泛,几乎涵盖了所有需要数据存储的领域。从消费电子产品到工业设备,闪存都起到了至关重要的作用。