针对LPDDR的多Die封装，以M公司的LPDDR5 16Gb x32为例，其Part Number是：MT62F512M32D2，PN的各个字母都是按照JEDEC明确定义如下：

从上图中，我们可以看到该LPDDR5的configuration是512Mb x32,其有两个Die，只能分成2个channel。但是如上图中的configuration也有1G32, 2G32, 512M64, 1G64 这些又是什么样的封装结构呢？

从上面的表中，我们可以很清晰的看到：512M32：Dual channel, Dual Die, single Rank in each channel.每个Die的位宽是x161G32:  Dual Channel, Quad Die, Dual Rank in each channel. 每个Die的位宽是x162G32: Dual Channel, eight Die, Dual Rank in each channel,但是这里需要注意的是该每个die是x8，此时是8B mode，由两个x8的Die而拼接成的x16。512M64: Quad channel, quad die,single Rank in each channel,每个Die的位宽是x16.1G64: Quad channel,Eight die,Dual Rank in each channel. 每个Die的位宽是x16.    下面再给出Die的addressing table,这样就有一个更直观的了解：

读懂上表之前，最好的先搞清楚什么是BG mode, 16B mode以及8B mode。这里我将引用JEDEC中对这一概念的描述以及解释：

8B mode不应用于LPDD5x.

为了加深理解，下面我也贴出来各个configuration的package block Diagram的图：

以上是LPDDR5的多Die封装的所有configuration，如果有不清楚的地方，欢迎评论区留言，一起讨论学习。    而对于DDR的封装，其实就简单的很多，以DDR5的RDIMM或者SoDIMM为例，所谓的channel和rank实际就是内存条宏观上可以区分的，比如channel，我们就认为是主板上的丝印的物理channel，而Rank则是内存条本身结构，如果是1Rank，则内存条正反两面都称之为Rank0,如果是2Rank,则正面为Rank0,背面为Rank1. （3DS内存与MRDIMM除外，这两种封装的条子比较复杂，有时间后面可以再谈）。 还有一点很重要，DDR5相对于DDR4来说，多了一个sub channel的概念，下面就以图来说明下把：